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标 题 |
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FF450R12ME4
FF600R12ME4技术参数： Ic(A),Tc=80℃600 Vce(sat),Max(V)2.1 Ton(us)0.18 Toff(us)0.5 Rth(j-c),K/W0.041 Pc(W)3650 封装EconoD
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2020-01-13 |
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FF300R12ME4
FF300R12ME4技术参数： Ic(A),Tc=80℃300 Vce(sat),Max(V)2.1 Ton(us)0.19 Toff(us)0.6 Rth(j-c),K/W0.094 Pc(W)1600 封装EconoD
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2020-01-13 |
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FF600R17ME4
FF600R17ME4技术参数： Ic(A),Tc=80℃600 Vces(V) 1700 封装EconoDual3 电路结构半桥性能概要： 采用第四代沟槽栅/场终止IGBT4和
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2020-01-13 |
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FZ600R17KE3
FZ600R17KE3技术参数： Ic(A),Tc=80℃600 Vce(sat),Max(V)2.45 Ton(us)0.33 Toff(us)1.0 Rth(j-c),K/W0.004 Pc(W)3120 封装62mm
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2020-01-13 |
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FF600R17ME4
FF600R17ME4技术参数： Ic(A),Tc=80℃600 Vces(V) 1700 封装EconoDual3 电路结构半桥性能概要： 采用第四代沟槽栅/场终止IGBT4和
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2020-01-13 |
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FZ1200R17KE3
FZ1200R17KE3技术参数： Ic(A),Tc=80℃1200 Vce(sat),Max(V)2.45 Ton(us)0.54 Toff(us)1.4 Rth(j-c),K/W0.017 Pc(W)7350 封装IHM
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2020-01-13 |
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FF600R17ME4
FF600R17ME4技术参数： Ic(A),Tc=80℃600 Vces(V) 1700 封装EconoDual3 电路结构半桥性能概要： 采用第四代沟槽栅/场终止IGBT4和
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2020-01-13 |
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FF300R17ME4
FF300R17ME4技术参数： Ic(A),Tc=80℃300 Vce(sat),Max(V)2.3 Ton(us)0.31 Toff(us)0.92 Rth(j-c),K/W0.083 Pc(W)1800 封装Econo
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2020-01-13 |
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