中国光伏产业飞速发展的同时，“光伏制造行业规范条件”以及符合该条件的企业也在因势而变！
我国《光伏制造行业规范条件》自2013年首版发布以来，对我国光伏产业技术提升与产业升级起到了积极作用。截至今天（2018年3月1日），“光伏制造行业规范条件”已更新至第三版，且较前两版发生了显著变化，对企业生产规模、工艺技术、能源生产利用及能耗提出了更高层次的要求。
统计发现，截至目前工信部共公布六批次《光伏制造行业规范条件》企业名单，其中25家为拟公布，19家被撤销。（见名单：权威突发｜25家光伏企业上榜工信部《光伏制造行业规范条件》名单，全部6批名单都在这里：被撤销的企业有哪些？）
马太效应愈发明显的光伏形势下，新版《光伏制造行业规范条件》究竟给企业带来哪些技术挑战？下面，光头君将对已出台的3版规范条件进行逐条比对与分析。
变化一
《光伏制造行业规范条件》（2013版）：新建和改扩建光伏制造项目，最低资本金比例为20%。
《光伏制造行业规范条件》（2015版）：新建和改扩建光伏制造项目，最低资本金比例为20%。
《光伏制造行业规范条件》（2018版）：新建和改扩建多晶硅制造项目，最低资本金比例为30%，其他新建和改扩建光伏制造项目，最低资本金比例20%。
变化二
《光伏制造行业规范条件》（2013版）：申报符合规范名单时上一年实际产量不低于规范条件（2013版）产能要求的50%
《光伏制造行业规范条件》（2015版）：申报符合规范名单时上一年实际产量不低于规范条件（2013版）产能要求的50%
《光伏制造行业规范条件》（2018版）：申报符合规范名单时上一年实际产量不低于上一年实际产能的50%。
光伏制造企业按产品类型应满足要求变化情况：
变化三
《光伏制造行业规范条件》（2013版）：
1.多晶硅项目每期规模大于3000吨/年；
2.硅锭年产能不低于1000吨；
3.硅棒年产能不低于1000吨；
4.硅片年产能不低于5000万片；
5.晶硅电池年产能不低于200MWp；
6.晶硅电池组件年产能不低于200MWp；
7.薄膜电池组件年产能不低于50MWp
《光伏制造行业规范条件》（2015版）：
1.多晶硅项目每期规模不低于3000吨/年；
2.硅锭年产能不低于1000吨；
3.硅棒年产能不低于1000吨；
4.硅片年产能不低于5000万片；
5.晶硅电池年产能不低于200MWp；
6.晶硅电池组件年产能不低于200MWp；
7.薄膜电池组件年产能不低于50MWp；
8.逆变器年产能不低于 200MWp（微型逆变器不低于10MWp） 。
《光伏制造行业规范条件》（2018版）：
1.多晶硅项目每期规模不低于3000吨/年；
2.硅锭年产能不低于1000吨；
3.硅棒年产能不低于1000吨；
4.硅片年产能不低于5000万片；
5.晶硅电池年产能不低于200MWp；
6.晶硅电池组件年产能不低于200MWp；
7.薄膜电池组件年产能不低于50MWp；
8.逆变器年产能不低于 200MWp（微型逆变器不低于10MWp）。
现有光伏制造企业及项目产品应满足的要求变化情况：
变化四
《光伏制造行业规范条件》（2013版）：
多晶硅片（含准单晶硅片）少子寿命大于2μs，电阻率在1-3Ω.cm，碳、氧含量分别小于16和18PPMA；单晶硅3片少子寿命大于10μs，电阻率在1-3Ω.cm，碳、氧含量分别小于10和18PPMA。
《光伏制造行业规范条件》（2015版）：
多晶硅片（含准单晶硅片）少子寿命大于2μs，碳、氧含量分别小于10和16PPMA； 单晶硅片少子寿命大于10μs，碳、氧含量分别小于1和16PPMA。
《光伏制造行业规范条件》（2018版）：
多晶硅片（含准单晶硅片）少子寿命大于2μs，碳、氧含量分别小于10和16PPMA； 单晶硅片少子寿命大于10μs，碳、氧含量分别小于1和16PPMA。
变化五
《光伏制造行业规范条件》（2013版）：要求多晶硅电池和单晶硅电池的光电转换效率分别不低于16%和17%。
《光伏制造行业规范条件》（2015版）：要求多晶硅电池和单晶硅电池的光电转换效率分别不低于17%和18.5%。
《光伏制造行业规范条件》（2018版）：要求多晶硅电池和单晶硅电池的最低光电转换效率分别不低于18%和19.5%。
变化六
《光伏制造行业规范条件》（2013版）：多晶硅电池组件和单晶硅电池组件的光电转换效率分别不低于14.5%和15.5%。
《光伏制造行业规范条件》（2015版）：多晶硅电池组件和单晶硅电池组件的光电转换效率分别不低于15.5%和16%。
《光伏制造行业规范条件》（2018版）：多晶硅电池组件和单晶硅电池组件的最低光电转换效率分别不低于16%和16.8%。
变化七
《光伏制造行业规范条件》（2013版）：硅基、铜铟镓硒（ CIGS） 、碲化镉（CdTe）及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于8%、 10%、 11%、 10%。
《光伏制造行业规范条件》（2015版）：硅基、铜铟镓硒（ CIGS） 、碲化镉（CdTe）及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于8%、 11%、 11%、 10%。
《光伏制造行业规范条件》（2018版）：硅基、铜铟镓硒（ CIGS） 、碲化镉（CdTe）及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于8%、13%、12%、10%。
变化八
《光伏制造行业规范条件》（2015版、2018版）较2013版增加对光伏逆变器的要求。
《光伏制造行业规范条件》（2015版）：含变压器型的光伏逆变器中国加权效率不得低于96%，不含变压器型的光伏逆变器中国加权效率不得低于98%（微型逆变器相关指标分别不低于94%和95%） 。
《光伏制造行业规范条件》（2018版）：含变压器型的光伏逆变器中国加权效率不得低于96%，不含变压器型的光伏逆变器中国加权效率不得低于98%（单相二级拓扑结构的光伏逆变器相关指标分别不低于94.5%和96.8%），微型逆变器相关指标分别不低于94.3%和95.5%。
新建和改扩建企业及项目产品应满足的要求变化情况：
变化九
《光伏制造行业规范条件》（2013版）：多晶硅片（含准单晶硅片）少子寿命大于2.5μs， 电阻率在1-3Ω.cm，碳、氧含量分别小于8和6PPMA；单晶硅片少子寿命大于11μs，电阻率在1-3Ω.cm，碳、氧含量分别小于8和6PPMA。
《光伏制造行业规范条件》（2015版）：多晶硅片（含准单晶硅片）少子寿命大于2.5μs，碳、氧含量分别小于8和6PPMA；单晶硅片少子寿命大于11μs，碳、氧含量分别小于1和16PPMA。
《光伏制造行业规范条件》（2018版）：多晶硅片（含准单晶硅片）少子寿命大于2.5μs，碳、氧含量分别小于8和6PPMA；单晶硅片少子寿命大于11μs，碳、氧含量分别小于1和16PPMA。
变化十
《光伏制造行业规范条件》（2013版）：多晶硅电池和单晶硅电池的光电转换效率分别不低于18%和20%。
《光伏制造行业规范条件》（2015版）：多晶硅电池和单晶硅电池的光电转换效率分别不低于18.5%和20%。
《光伏制造行业规范条件》（2018版）：多晶硅电池和单晶硅电池的最低光电转换效率分别不低于19%和21%。
变化十一
《光伏制造行业规范条件》（2013版）：多晶硅电池组件和单晶硅电池组件的光电转换效率分别不低于16.5%和17.5%。
《光伏制造行业规范条件》（2015版）：多晶硅电池组件和单晶硅电池组件的光电转换效率分别不低于16.5%和17%。
《光伏制造行业规范条件》（2018版）：多晶硅电池组件和单晶硅电池组件的最低光电转换效率分别不低于17%和17.8%。
变化十二
《光伏制造行业规范条件》（2013版）：硅基、铜铟镓硒（ CIGS） 、碲化镉（CdTe）及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于12%、 12%、 13%、 12%。
《光伏制造行业规范条件》（2015版）：硅基、铜铟镓硒（ CIGS） 、碲化镉（CdTe）及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于12%、 13%、 13%、 12%。
《光伏制造行业规范条件》（2018版）：硅基、铜铟镓硒（ CIGS） 、碲化镉（CdTe）及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于12%、14%、14%、12%。
变化十三
《光伏制造行业规范条件》（2013版）：多晶硅电池组件和单晶硅电池组件衰减率在2年内分别不高于3.2%和4.2%， 25年内不高于20%；薄膜电池组件衰减率在2年内不高于5%， 25年内不高于20%。
《光伏制造行业规范条件》（2015版）：多晶硅电池组件和单晶硅电池组件衰减率在1年内分别不高于2.5%和3%， 25年内不高于20%；薄膜电池组件衰减率在1年内不高于5%， 25年内不高于20%。
《光伏制造行业规范条件》（2015版）：多晶硅电池组件和单晶硅电池组件衰减率首年分别不高于2.5%和3%，后续每年不高于0.7%，25年内不高于20%；薄膜电池组件衰减率首年不高于5%，后续每年不高于0.4%，25年内不高于15%。
光伏制造项目能耗应满足要求变化情况
变化十四
《光伏制造行业规范条件》（2013版）：现有多晶硅项目还原电耗小于80千瓦时/千克， 综合电耗小于140千瓦时/千克；新建和改扩建项目还原电耗小于60千瓦时/千克，综合电耗小于100千瓦时/千克。
《光伏制造行业规范条件》（2015版）：现有多晶硅项目还原电耗小于65千瓦时/千克，综合电耗小于120千瓦时/千克；新建和改扩建项目还原电耗小于55千瓦时/千克，综合电耗小于100千瓦时/千克。
《光伏制造行业规范条件》（2015版）：现有多晶硅项目还原电耗小于60千瓦时/千克，综合电耗小于100千瓦时/千克；新建和改扩建项目还原电耗小于50千瓦时/千克，综合电耗小于80千瓦时/千克。
变化十五
《光伏制造行业规范条件》（2013版）：现有硅锭项目平均综合能耗小于9千瓦时/千克，新建和改扩建项目小于7千瓦时/千克；如采用多晶铸锭炉生产准单晶或高效多晶产品，项目平均综合能耗的增加幅度不得超过0.5千瓦时/千克。
《光伏制造行业规范条件》（2015版）：现有硅锭项目平均综合能耗小于8.5千瓦时/千克， 新建和改扩建项目小于7千瓦时/千克；如采用多晶铸锭炉生产准单晶或高效多晶产品，项目平均综合能耗的增加幅度不得超过0.5千瓦时/千克。
《光伏制造行业规范条件》（2018版）：现有硅锭项目平均综合电耗小于8.5千瓦时/千克，新建和改扩建项目小于7千瓦时/千克；如采用多晶铸锭炉生产准单晶或高效多晶产品，项目平均综合电耗的增加幅度不得超过0.5千瓦时/千克。
变化十六
《光伏制造行业规范条件》（2013版）：现有硅棒项目平均综合能耗小于50千瓦时/千克， 新建和改扩建项目小于45千瓦时/千克。
《光伏制造行业规范条件》（2015版）：现有硅棒项目平均综合能耗小于45千瓦时/千克，新建和改扩建项目小于40千瓦时/千克。
《光伏制造行业规范条件》（2018版）：现有硅棒项目平均综合电耗小于45千瓦时/千克，新建和改扩建项目小于40千瓦时/千克。
变化十七
《光伏制造行业规范条件》（2013版）：现有多晶硅片项目平均综合能耗小于60万千瓦时/百万片，新建和改扩建项目小于55万千瓦时/百万片；现有单晶硅片项目平均综合能耗小于40万千瓦时/百万片，新建和改扩建项目小于35万千瓦时/百万片。
《光伏制造行业规范条件》（2015版）：现有多晶硅片项目平均综合能耗小于45万千瓦时/百万片，新建和改扩建项目小于40万千瓦时/百万片；现有单晶硅片项目平均综合能耗小于40万千瓦时/百万片，新建和改扩建项目小于35万千瓦时/百万片。
《光伏制造行业规范条件》（2018版）：现有多晶硅片项目平均综合电耗小于45万千瓦时/百万片，新建和改扩建项目小于40万千瓦时/百万片；现有单晶硅片项目平均综合电耗小于40万千瓦时/百万片，新建和改扩建项目小于35万千瓦时/百万片。
变化十八
《光伏制造行业规范条件》（2013版）：电池项目平均综合能耗小于15万千瓦时/MWp。
《光伏制造行业规范条件》（2015版）：电池项目平均综合能耗小于 10 万千瓦时/MWp。
《光伏制造行业规范条件》（2018版）：电池项目平均综合电耗小于9万千瓦时/MWp。
变化十九
《光伏制造行业规范条件》（2013版）：晶硅电池组件项目平均综合能耗小于 8 万千瓦时/MWp； 薄膜电池组件项目平均能耗小于50 万千瓦时/MWp。
《光伏制造行业规范条件》（2015版）：晶硅电池组件项目平均综合能耗小于6万千瓦时/MWp；薄膜电池组件项目平均能耗小于50万千瓦时/MWp。
《光伏制造行业规范条件》（2018版）：晶硅电池组件项目平均综合电耗小于6万千瓦时/MWp；薄膜电池组件项目平均电耗小于50万千瓦时/MWp。
光伏制造项目生产水耗应满足要求变化情况
变化二十
《光伏制造行业规范条件》（2013版）：
多晶硅项目水循环利用率不低于95%；
硅片项目水耗低于1400吨/百万片；
电池项目水耗低于1700吨/MWp
《光伏制造行业规范条件》（2015版）：
多晶硅项目水循环利用率不低于95%；
硅片项目水耗低于1400吨/百万片；
电池项目水耗低于1700吨/MWp。
《光伏制造行业规范条件》（2018版）：
多晶硅项目水循环利用率不低于95%；
硅片项目水耗低于1400吨/百万片；
电池项目水耗低于1500吨/MWp。
